应变层InGaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管  

作　　者：邓生贵 张晓玲[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所

出　　处：《半导体情报》1989年第5期6-12,共7页Semiconductor Information

摘　　要：应变层InCaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管是利用在InGaAs,AlGaAs界面处存左高电子迁移率的二维电子气的原理制成的新式场效应器件。本文论述了调制掺杂扬效应晶体管的工作原理和基本结构,对比了AlGaAs/CaAs、InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs三种结构的调制掺杂场效应管的优劣,指出后者的电流增益截止频率已达到100GHz,器件的设计功率增益频率范围高达400GHz。

关 键 词：场效应晶体管 掺杂 调制式 

分 类 号：TN386.7[电子电信—物理电子学]