亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造  

Fabrication of Submicron Gate Length Modulation Doped Al_xGa_(1-x)As/GaAs Field Effect Transistors

作　　者：杨玉芬[1] 陈宗圭[1] 张矩[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所 [2]北京工业学院物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1989年第3期192-197,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10^(15)cm^(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.This paper describes the design principle of modulation doped Al_xGa_(1-x) As/GaAs fieldeffect transistors (MODFET),processing steps of gate length as short as 0.2μm with T typegate and the conditions of the E-Beam lithography to obtain submicron gate length.Trans-conductances of the order of 200 mS/mm at room temperature and 375 mS/mm at 77K aremeasured.

关 键 词：MOSFET 掺杂 亚微米栅长 调制 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]