一种适合于ASIC应用的新的工艺技术──CMOS逻辑VLSI E^2PROM的单片集成  

作　　者：Masataka Hidemitsu 张义强 

出　　处：《微电子技术》1995年第6期6-11,共6页Microelectronic Technology

摘　　要：我们开发了一种新的工艺技术，实现了在CMOSVLSI制造中嵌入E2PROM的制造技术。在此新工艺中，制造的是学层多晶硅的E2PROM。与传统的双层多晶硅E2PROM的工艺相比，减少了25％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在CMOSVLS外嵌入的E2PROM的器件尺寸。器件工作电压范围宽为1．5～6V，静态电流低于100nA。

关 键 词：CMOS 单片集成 VLSIE^2PROM 逻辑电路 ASIC 工艺 

分 类 号：TN430.5[电子电信—微电子学与固体电子学]