n阱CMOS与n型表沟CCD兼容的集成电路工艺  

An n-Well CMOS and n-Type Surface-Channel CCD Compatible IC Process

作　　者：谭开洲[1] 张正 舒辉然[1] 

机构地区：[1]电子工业部第24研究所

出　　处：《微电子学》1995年第5期19-22,共4页Microelectronics

摘　　要：本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。An n-well CMOS and n-channel SCCD compatible IC process is described in the pa-per.An analogue delay integrator, which, operating at 15～18V, reaches a sampling frequency of 1.3MHz,has been developed using the above process.

关 键 词：SCCD 延迟积分器 CMOS工艺 集成电路 

分 类 号：TN432.05[电子电信—微电子学与固体电子学]