多孔硅发光机理的新探索  

作　　者：俞鸣人 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,复旦大学李政道物理综合实验室

出　　处：《物理》1995年第4期212-217,232,共7页Physics

摘　　要：自从９０年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来，人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作，而发光机理则是开发实用器件的重要前提。该文在对当前研究动态作介绍之后，分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合的多孔硅发光模型，并在研究固态接触的多孔硅发光二极管结构的瞬态特性之后，提出了载流子注入、约束和复合机理的定性假设。

关 键 词：多孔硅 发光机理 量子约束 载流子注入 

分 类 号：O613.72[理学—无机化学] TN204[理学—化学]