半导体碳化硅的研究现状与应用前景  

作　　者：李玉增[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1995年第3期204-210,217,共8页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：综述了碳化硅的的结构、性能与应用现状；讨论了原子层外延法生长β－ＳｉＣ薄膜及液相外延法制备蓝色α－ＳｉＣ发光管工艺，展望了半导体碳化硅材料的发展前景。

关 键 词：碳化硅材料(α-SiC β-SiC) 原子层外延(ALE) 蓝色发光管(LED) 液相外延(LPE) 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]