李玉增

作品数：23被引量：76H指数：5
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阴极材料正尖晶石LiMn_2O_4制备方法研究现状被引量：19
《电源技术》1999年第5期289-292,共4页李群 卢世刚 邱向东 李玉增 
综述了制备锂离子电池正极材料正尖晶石ＬｉＭｎ２Ｏ４ 的几种常用方法及其各自特点。对于高温固相反应而言，阐述了原料及合成条件的选择方式，并讨论了焙烧温度、升降温方式及机械研磨对产物晶型结构、粒度大小分布和电化学性能的影...
关键词：正尖晶石 LIMN2O4 制备 锂离子电池 阴极材料 
ITO薄膜产业化进程概述被引量：7
《世界有色金属》1998年第11期11-15,共5页李玉增 
１ＩＴＯ薄膜发展概况氧化铟锡（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｑｘｉｄｅ）或掺锡氧化铟（Ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄＩｎｄｉｕｍＯｘｉｄｅ）薄膜是一种重掺杂、高简并ｎ型半导体，简称ＩＴＯ薄膜。目前，ＩＴＯ薄膜的电子密度ｎｅ可高达１０２１...
关键词：薄膜 氧化铟锡 半导体 产业化 
GaN基薄膜材料和器件的最新进展被引量：6
《半导体技术》1998年第3期2-5,共4页李玉增 
综述了ＧａＮ基薄膜材料研制与器件开发的新进展，着重阐明其技术突破与商品化应用前景。
关键词：半导体薄膜 薄膜材料 氮化镓 
富勒烯及其金属掺杂材料的研究与应用被引量：2
《稀有金属》1998年第2期127-131,共5页李玉增 
综述了富勒烯特别是金属富勒烯的独特结构、性能与应用潜力，着重阐明其开发现状、应用前景与存在问题。
关键词：富勒烯 金属富勒烯 富勒烯半导体 富勒烯超导体 
MOVPE:高速发展的光电子材料技术
《世界有色金属》1998年第2期25-29,共5页李玉增 
文章综述了光电子材料技术的发展梗概，通过对比分析，从发展趋势上论述了ＭＯＶＰＥ法在生产光电子技术功能材料方面的进展。尤其进入９０年代中期以来，ＭＯＶＰＥ法的应用领域拓宽，发展速度加快，对未来光电子技术功能材料的发展具...
关键词：光电子材料 MOVPE技术 VPE LPE MBE 
东南亚半导体工业和市场发展趋势
《广东电子》1997年第10期13-18,共6页李玉增 
综述了东南亚以及韩国等国和我国台湾省，香港等地区半导体需求迅速增长状态，指出该地区正在发民为世界电子工业产品供庆基地，半导体工业和市场发展前景看法。
关键词：东南亚 半导体工业 市场 增长率 
新型锂离子电池的研究进展
《电池》1997年第2期83-84,共2页李玉增 
综述了用石墨作阳极、聚吡咯作阴极制成的新型离子双嵌电池的特点和性能,其样品电池结构显示出良好的循环特性和相当高的理论能量密度。因锂阳离子(Li^+)和高氯酸根阴离子(ClO_4)同时参与电化学过程,故称这种新型无金属锂电源系统为“...
关键词：锂离子电池 电池 制造 
锗市场的调查研究与发展预测
《有色金属技术经济研究》1997年第4期13-24,共12页李玉增 杨遇春 
关键词：锗 市场调查 发展趋势 预测 
东南亚半导体工业和市场发展趋势
《半导体技术》1997年第3期7-11,共5页李玉增 
综述了东南亚以及韩国等国和我国台湾省、香港等地区半导体需求迅速增长状况，指出该地区正在发展成为世界电子工业产品供应基地，半导体工业和市场发展前景看好［１，２］。
关键词：东南亚 半导体工业 市场 增长率 
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料研究概述被引量：5
《稀有金属》1997年第1期52-57,67,共7页李玉增 
综述了ＧａＮ、ＡｌＮ及其固溶体等ⅢⅤ族氮化物半导体材料的结构、性能与ＭＯＣＶＤ生长技术，并着重阐明其研制。
关键词：氮化钙 氮化铝 MOCVD MBE 半导体 
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