Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料研究概述  

作　　者：李玉增[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1997年第1期52-57,67,共7页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：综述了ＧａＮ、ＡｌＮ及其固溶体等ⅢⅤ族氮化物半导体材料的结构、性能与ＭＯＣＶＤ生长技术，并着重阐明其研制。

关 键 词：氮化钙 氮化铝 MOCVD MBE 半导体 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]