高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究  被引量:7

The Research of High-steady Ni-Cr Thin Film

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作  者:张丽娟[1] 王芳[2] 孙承松[1] 蔡震[2] 陈桂梅[2] 

机构地区:[1]沈阳工业大学电子科技教研室,沈阳110023 [2]东北微电子研究所,沈阳110032

出  处:《微处理机》2005年第4期7-8,共2页Microprocessors

摘  要:本文主要介绍采用磁控溅射制备Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的N i-Cr薄膜,并把它应用到具体电路中,取得满意的效果。An approach of the Ni - Cr thin film preparation by magnetron sputtering is introduced. The right conditions can be gained through the progresses of photo- etching and etching. The experiments with the Ni - Cr thin film used in some circuits come off satisfactorily.

关 键 词:磁控溅射 Ni-Cr薄膜 

分 类 号:TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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