碳化硅纳米线中的一维无序结构  

One dimensional disordered structure in SiC nano-wires

作　　者：郑坤[1] 韩晓东[1] 张跃飞[1] 张泽[1] 郝雅娟[2] 郭向云[2] 

机构地区：[1]北京工业大学固体微结构研究所,北京100022 [2]中国科学院山西煤炭化学研究所,国家煤炭转化重点实验室,山西太原030001

出　　处：《电子显微学报》2005年第4期256-256,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关 键 词：一维纳米材料 无序结构 碳化硅 集成电子器件 线中 电学性能 化学稳定性 控制合成 几何形貌 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]