检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:刘明[1] 谢常青[1] 王丛舜[1] 龙世兵[1] 李志钢[1] 易里成荣[1] 涂德钰[1]
机构地区:[1]中国科学院微电子研究所
出 处:《微纳电子技术》2005年第9期393-397,共5页Micronanoelectronic Technology
基 金:国家自然基金资助项目(60276019;90207004;60236010;60290081)
摘 要:介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。Some progress on top-down nano-fabrication, such as electron beam lithography, X-ray lithography and EUV lithography were introduced. The progress and challenge on quantum mechanism nano-devices such as SET, RTD and molecular device were also investigated.
关 键 词:自上而下的纳米加工 纳米器件 单电子器件 共振隧穿器件
分 类 号:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]
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