共振隧穿器件

作品数：26被引量：51H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郭维廉牛萍娟张世林毛陆虹谷晓更多>>
相关机构：天津大学天津工业大学专用集成电路与系统国家重点实验室中国科学院更多>>
相关期刊：《光子技术》《物理》《电子元器件应用》《自然杂志》更多>>
相关基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
利用共振隧穿器件制作太赫兹波源
《微纳电子技术》2010年第10期595-602,623,共9页郭维廉 牛萍娟 李晓云 谷晓 何庆国 冯志红 田爱华 张世林 毛陆虹 
太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制...
关键词：太赫兹波 太赫兹波源 共振隧穿器件 振荡源 毫米波 
CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景被引量：2
《微纳电子技术》2010年第8期461-469,506,共10页郭维廉 牛萍娟 李晓云 刘宏伟 谷晓 毛陆虹 张世林 陈燕 王伟 
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
关键词：CMOS工艺 多值逻辑(MVL) 共振隧穿器件(RTD) 负阻器件 逻辑电路设计 自锁特性 
共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期480-487,共8页郭维廉 牛萍娟 李晓云 谷晓 张世林 梁惠来 毛陆虹 
国家自然科学青年基金(60706015)资助
在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。
关键词：共振隧穿器件 共振隧穿器件集成电路技术 发展趋势 研究热点 
2007年第44卷总目次
《微纳电子技术》2007年第12期I0001-I0006,共6页
关键词：纳米级 ZNO 共振隧穿器件 郭维 目次 硬盘技术 GAN 
RTD的器件模型和模拟——共振隧穿器件讲座(9)被引量：1
《微纳电子技术》2007年第10期917-922,951,共7页郭维廉 
阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介...
关键词：器件模型 器件模拟 RTD电路 电路模拟 
共振隧穿三极管(RTT)———共振隧穿器件讲座(10)
《微纳电子技术》2007年第10期923-932,968,共11页郭维廉 
在简述共振隧穿三极管(RTT)的特点、定义、分类的基础上,全面、系统地介绍了各种结构RTT的材料结构、器件结构、工作原理、制造工艺及器件性能参数等,对某些RTT还给出了其应用前景。由于RTT的器件结构种类繁多,其工作原理也存在差异。...
关键词：RTT 栅型RTT(GRTT) RTBT RTD/HEMT型RTT 
《微纳电子技术》2006年总目次
《微纳电子技术》2006年第12期601-603,共3页
关键词：共振隧穿器件 RTD 研究进展 纳米材料 碳纳米管 纳米晶体管 纳电子技术 纳米碳管 纳米电子 量子效应 MEMS 纳米结构 量子点 电子材料 纳米粒子 生物芯片 微纳米 ULSI 郭维 目次 
RTD交流小信号等效电路模型——共振隧穿器件讲座(7)被引量：1
《微纳电子技术》2006年第12期558-563,共6页郭维廉 
RTD交流小信号等效电路模型是分析RTD交流特性的基础,也是用网络分析仪测量S参数,拟合提取交流参数和计算截止频率fR的依据。精确、合理的等效电路模型有助于深入理解RTD的工作原理,也对RTD器件和RTD集成电路的设计起重要的指导作用。...
关键词：RTD交流小信号分析 等效电路模型 RTD交流参数 渡越时间效应 
RTD器件参数和测量方法——共振隧穿器件讲座(8)被引量：4
《微纳电子技术》2006年第12期564-571,581,共9页郭维廉 
表征RTD器件特性和性能的参数分为直流负阻、等效电路及频率响应和开关时间三类。系统全面地介绍这三类参数及其测量方法,为测量和评价RTD的器件性能打下良好的基础。
关键词：RTD特性和测量 测量方法 直流参数 电路参数 瞬态参数 
共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)被引量：3
《微纳电子技术》2006年第8期361-365,392,共6页郭维廉 
在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。
关键词：共振隧穿二极管 材料结构设计 分子束外延 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部