纳米电子

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面向未来高性能电子器件的石墨烯纳米带
《物理》2024年第10期683-690,共8页吕博赛 娄硕 沈沛约 史志文 
国家重点基础研发计划(批准号:2022YFA1402702,2021YFA1202902);国家自然科学基金(批准号:1207040057,1237042375)资助项目。
石墨烯纳米带具有可调节的带隙和较高的载流子迁移率,是未来高性能纳米电子器件的理想候选材料之一。然而,可用于电子器件的高质量石墨烯纳米带的制备一直是一个巨大挑战。文章关注高质量石墨烯纳米带的制备,重点介绍近年来采用金属纳...
关键词：石墨烯纳米带 纳米颗粒 催化生长 氮化硼封装 碳基纳米电子学 
碳化硅真空纳米电子器件技术分析
《真空电子技术》2024年第3期63-75,共13页任大鹏 李兴辉 韩攀阳 仲子琪 
新兴的真空纳米电子器件兼具固态器件集成电路和传统真空电子器件的优势。但和硅器件同工艺、同片集成的现状,限制了其在恶劣环境的应用。使用宽禁带半导体碳化硅材料制备真空纳米电子器件,可在耐辐射基础上兼具抗高温特性,使该器件具...
关键词：碳化硅 真空器件 纳米器件 抗温 抗辐射 
中国光电阴极理论研究开拓者创吴氏函数纳米电子学基础研究首席科学家百年诞辰
《中国科技教育》2023年第12期70-71,共2页王渝生 
吴全德(1923.12.12—2005.12.29),浙江黄岩人,电子物理学家,教育家,中国科学院院士,中国光电阴极理论研究的开拓者,研究领域主要在光电阴极、含超微粒子薄膜及薄膜的成核和生成等方面。1923年12月12日,吴全德出生于浙江省黄岩县(今台州...
关键词：中国科学院院士 光电阴极 超微粒子薄膜 吴全德 浙江黄岩 百年诞辰 纳米电子学 家务劳动 
纳米电子设备不靠云可实时处理数据
《电子质量》2023年第10期125-125,共1页
美国西北大学工程师开发了一种新型纳米电子设备,可以迄今最节能的方式执行准确的机器学习分类任务。该设备的能源使用效率比当前技术提高100倍,可实时处理大量数据并执行人工智能(AI)任务,而无需将数据传输到云端进行分析。研究成果202...
关键词：实时数据处理 能源使用效率 实时处理 纳米电子 可穿戴 智能手表 美国西北大学 电子产品 
踏实前行,走进微观世界——记北京理工大学前沿交叉科学研究院教授武旭
《科学中国人》2023年第10期89-89,共1页黄雪霜 肖贞林 
日常生活中,我们很难把木头和螃蟹壳联系在一起,但其实它们的分子结构只差了一个键角。除此之外,很多人知道免疫细胞会通过信息分子的相互触碰识别出外来的病毒,这是为什么呢?想知道答案,我们需要走进微观世界,只有研究透信息分子的结...
关键词：北京理工大学 科学技术委员会 电子轨道 微观世界 洪堡 纳米电子 螃蟹壳 德国洪堡基金会 
碳纳米管制备方法专利分析被引量：1
《中国科技信息》2023年第17期37-39,共3页宋倩倩 
碳纳米管属于一种一维纳米材料,其可以被认为是由石墨烯片层卷曲而成,单层石墨烯可以卷曲形成单壁碳纳米管,多层石墨烯可以卷曲形成多壁碳纳米管;根据碳纳米管导电性的不同,碳纳米管可以呈现金属性或半导体性;碳纳米管的直径在几纳米到...
关键词：碳纳米管 纳米电子学 一维纳米材料 石墨烯片 金属性 多层石墨烯 单层石墨烯 半导体性 
可变形纳米级电子设备
《光学精密机械》2023年第2期16-17,共2页
一般而言,智能手机等设备内的纳米电子部件是坚固的静态设备,一旦被设计和制造出来,就无法变形。但美国物理学家报告称,他们研制出了一种新的纳米设备,即使以固态形式存在,也可“变身”成多种不同的形状和大小。这一成果有望从根本上改...
关键词：美国物理学家 电子设备 纳米电子 智能手机 原子级 科学进展 相关论文 纳米级 
研究人员开发出新型嵌钪超硬碳材
《环境科学与管理》2022年第11期177-177,共1页
俄罗斯国家研究型技术大学(莫斯科钢铁合金学院)、超硬材料与新型碳材料技术研究所与俄科院西伯利亚分院物理研究所的研究人员基于内嵌金属钪的富勒烯结构合成了一种新型超硬材料,该材料可在光伏、光学、纳米电子与生物医学等领域得到...
关键词：物理研究所 超硬材料 相变压力 纳米电子 富勒烯 碳原子 化学活性 聚合过程 
首款网格结构纳米电子皮肤面世
《河南科技》2022年第20期1-1,共1页
韩国大邱庆北科学技术院(DGIST)研究团队成功开发出了世界上第一个纳米结构电子皮肤设备(有机场效应晶体管)。这种电子皮肤设备包含一个纳米网状结构,可长时间测量和处理生物信号,且不会让佩戴者感觉不适。这一成果标志着科学家们向电...
关键词：有机场效应晶体管 可穿戴设备 生物信号 感觉不适 纳米电子 网格结构 生理信号 设备集成 
GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控
《吉首大学学报（自然科学版）》2022年第4期42-46,86,共6页程杨名 廖文虎 
国家自然科学基金资助项目(11264013);湖南省自然科学基金面上项目(2021JJ30549);湖南省教育厅重点项目(18A293);吉首大学研究生科研项目(JDY21075)。
运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,研究了第Ⅴ主族原子(P,As,Sb)替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明,第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范...
关键词：GeSe纳米带 整流 替位掺杂 电流-电压特性 
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