共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点  

The Development Direction and Research Focal Points on Resonant Tunneling Device and Its Integrated Circuit Technology

作　　者：郭维廉[1,2] 牛萍娟[1] 李晓云[1] 谷晓[1] 张世林[2] 梁惠来[2] 毛陆虹[2] 

机构地区：[1]天津工业大学信息与通信学院,天津300160 [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《固体电子学研究与进展》2009年第4期480-487,共8页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学青年基金(60706015)资助

摘　　要：在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。On the base of summarizing the features of resonant tunneling device （RTD）and RTD IC technology and analyzing their development direction, some research focal points for resonant tunneling device and its IC technology are presented in this paper.

关 键 词：共振隧穿器件 共振隧穿器件集成电路技术 发展趋势 研究热点 

分 类 号：TN313.2[电子电信—物理电子学]