量子点红外探测器的特性与研究进展  

The properties and development of quantum-dot infrared photodetectors

作　　者：张冠杰[1] 舒永春[1] 姚江宏[1] 舒强[1] 邓浩亮[1] 贾国治[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]南开大学物理科学学院量子材料与器件研究室,天津300457

出　　处：《物理》2005年第9期666-671,共6页Physics

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60476042)资助项目

摘　　要：半导体材料红外探测器的研究一直吸引人们非常广泛的兴趣.以量子点作为有源区的红外探测器从理论上比传统量子阱红外探测器具有更大的优势.文章讨论了量子点红外探测器几个重要的优点,包括垂直入射光响应、高光电导增益、更低的暗电流、更高的响应率和探测率,等等.此外,报道了量子点红外探测器研究中一些最新的实验结果.在此基础上,分析了现存问题,并提出了进一步提高器件性能的几种可能途径.There is great interest in semiconductor infrared detectors with improved performance. Quantum dot infrared photodetectors （QDIPs） ideally have several advantages over quantum well infrared photodetectors. We discuss the theoretical advantages of QDIPs including their normal incidence response, lower dark current, higher responsivity and detectivity, etc. The newest experimental results in this area are also reported. Finally we point out some approaches that can further improve the capabilities of such devices.

关 键 词：量子点红外探测器 暗电流 光电导增益 响应率 探测率 红外探测器 量子点 半导体材料 垂直入射 器件性能 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]