STM“接触”式测量中的整流效应  

Rectifying Effect in Contact Mode of STM

作　　者：邱伟民[1] 严学俭[1] 李旭[1] 沈淼[1] 曾志刚[1] 张莉[1] 华中一[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第3期189-191,199,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。On I-V measurement of Ag-TCNQ thin film by Scanning Ttmneling Microscope（STM） of contact mode,rectifying effect caused by Schottky barrier is found, It supplies a new design idea for application of organic compounds on electronics,so as to create new types of organic electronic devices.

关 键 词：STM 接触模式 整流效应 有机电子器件 

分 类 号：TB43[一般工业技术] TN605[电子电信—电路与系统]