氮化硅──氧化镁──二氧化铈的无压烧结  

PRESSURELESS SINTERING OF Si_3N_4 WITH MgO-CeO_2

作　　者：杨海涛[1] 杨国涛[1] 肖钢[2] 谢继祥 杜水根 

机构地区：[1]武汉工业大学,武汉430070 [2]株洲硬质合金厂,湖南株洲市412000

出　　处：《硬质合金》1996年第2期99-103,共5页Cemented Carbides

摘　　要：对氧化硅－氧化镁－二氧化铈无压烧结的研究表明：MgO－CeO_2是一种非常有效的氮化硅助烧剂，MgO－CeO_2的含量及烧结工艺对氮化硅的致密化及机械性能有强烈的影响，本文讨论了这些影响规律，当氧化镁与氧化铈共存时，二氧化铈更容易与氮化硅颗粒表面的二氧化硅反应形成难熔的窗铈的玻璃相，无压烧结的氮化硅－氧化镁－二氧化铈陶瓷，其相对密度可超过98％，强度超过920MPa，这在目前的各种无压烧结的氮化硅材料中，是非常高的，Si－Mg－Ce－O－N系统在理论研究和实用上都有极大的价值。An investigation of the pressureless sintering of Si_3N_4 with MgO-CeO_2 revealed that MgO-CeO_2 is a most effective sintering aid for silicon nitride. The amount of Mgo-CeO_2 and sintering conditions have a strong influence on the densification bahaviour and mechanical properties of the sintered materials. The effect of the additive and sintering conditions are discussed. The silicon nitride pressureless sintered with MgO-CeO_2 retained a relative density of 98. 5%,a bending strength of 950 MPa. The Si-Mg-Ce-O-N system is of great value for application and theoretical study.

关 键 词：氮化硅 氧化镁 二氧化铈 无压烧结 烧结 

分 类 号：TF124.5[冶金工程—粉末冶金]