太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究  

Fabrication of intrinsic microcrystalline silicon thin films used for solar cells and its structure

作　　者：张晓丹[1] 赵颖[1] 高艳涛[1] 朱锋[1] 魏长春[1] 孙建[1] 耿新华[1] 熊绍珍[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所

出　　处：《物理学报》2005年第10期4874-4878,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028202和G2000028203);国际科技合作项目(批准号:2002DFG00051);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA303261);天津市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.~~

摘　　要：采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在电池的有源层中,制备出了效率达7·1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-SiH)/i(μc-SiH)/n(a-SiH/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1·2μm.Microcrystalline silicon thin films used for solar ceils were deposited at different silane concentrations and reaction pressures by VHF-PECVD. Study of materials structure was conducted by Raman spectra and x-ray diffraction. In the range of experiment, microcrystalline silicon thin films prepared under different conditions all have （220） preferential orientation. Microcrystalline silicon solar cells with conversion efficiency up to 7.1% were fabricated. The structure of solar cells was glass/ZnO/p（μc-Si： H）/ i（μc-Si：H）/n（a-Si： H/Al）. There was no Zno back reflector and the thickness of solar ceils was only 1.2μm.

关 键 词：本征微晶硅薄膜 拉曼光谱 X射线衍射 微晶硅薄膜 硅太阳电池 制备材料 结构研究 硅材料 PECVD技术 本征 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]