Ⅲ-Ⅴ族三元体衬底生长工艺  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2005年第10期3-5,共3页Information of Advanced Materials

摘　　要：对三元合金衬底的研究已有40年的历史，但至今没有商品化材料，而利用具有“可变”晶格常数和带隙的三元衬底有利于提高器件性能、简化制造工序、降低制造成本。开发出直径≥50mm Ⅲ-Ⅴ族三元衬底生长工艺并达到：1，晶片上组分均匀性好于0．5%mol；2，缺陷密度低：无夹杂，无多相区，无裂纹，EPD（100cm^-2；3，有可调整的电学和光学性质；

关 键 词：生长工艺 Ⅲ-Ⅴ族 金衬底 三元 器件性能 晶格常数 制造工序 制造成本 缺陷密度 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O614.123[理学—无机化学]