一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计  

Design of a High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference

作　　者：王丽芳[1] 吴健学[1] 

机构地区：[1]武汉邮电科学研究院,湖北武汉430074

出　　处：《电讯技术》2005年第5期131-134,共4页Telecommunication Engineering

摘　　要：本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比。A bandgap voltage reference using 0.25μm CMOS process is described. It has a simple structure and high performance. Simuluation at TT model shows the average temperature coefficient is 9.6 ppm/℃, PSRR is -56dB at 27℃ and voltage level bias characteristic is 384ppm/V.

关 键 词：基准电压 带隙基准 温度系数 温度补偿 电源抑制比 

分 类 号：TN702[电子电信—电路与系统]