王丽芳

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一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计
《电讯技术》2005年第5期131-134,共4页王丽芳 吴健学 
本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温...
关键词：基准电压 带隙基准 温度系数 温度补偿 电源抑制比 
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