高性能阴极荧光分析系统及其在氮化物半导体材料研究中的应用  

Investigation of group-III nitrides semiconductor by using high performance cathodoluminescence system

作　　者：徐军[1] 徐科[2] 陈莉[1] 张会珍[1] 陈文雄[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院电子显微镜实验室,北京100871 [2]北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京100871

出　　处：《现代仪器》2005年第5期22-25,共4页Modern Instruments

基　　金："国家973项目"的资助;(批准号:2002CB613505)

摘　　要：本文介绍由场发射环境扫描电镜和高性能阴极荧光谱仪构成的联合分析系统。该系统在图像质量、图像空间分辨、阴极荧光成像及光谱分析等方面具有优越的性能。利用这一系统对氮化物半导体材料的微观特征、器件结构和光学性能的相互关系进行研究,获得许多有意义的结果。A set of instrument of Field Emission Environment Scanning Electron Microscope / High Performance Cathodoluminescence has been described in brief. This system has superior performance in image quality, space resolution , ？ m and nm Cathodoluminescence image and spectrum analysis of semiconductor materials. We have utilized this equipment to investigate interactions between micro-charactrization of the materials, structure of the device and optical performance in group-Ⅲ nitrides. Many meaningful results have been obtained.

关 键 词：氮化物半导体材料 高性能阴极荧光分析系统 场发射环境扫描电镜 高性能阴极荧光谱仪 图像质量 图像空间分辨 阴极荧光成像 光谱分析 微观特征 器件结构 光学性能 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]