氮化物半导体材料

作品数:7被引量:18H指数:2
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相关机构:北京大学住友电气工业株式会社中国科学院南京大学更多>>
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氮化物半导体电子器件新进展被引量:11
《科学通报》2015年第10期874-881,共8页郝跃 张金风 张进成 马晓华 郑雪峰 
氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮...
关键词:氮化物半导体材料 微波功率器件 电力电子器件 
离子液体中氮化物半导体材料的电沉积机理及取向控制研究
《沈阳师范大学学报(自然科学版)》2011年第2期F0002-F0002,共1页
“离子液体中氮化物半导体材料的电沉积机理及取向控制研究”是沈阳师范大学化学与生命科学学院田鹏教授主持的国家自然科学基金面上项目(项目批准号:21073123),资助经费35万元,起止时间为2011年1月~2013年12月,项目组成员有田...
关键词:电沉积机理 半导体材料 取向控制 离子液体 氮化物 国家自然科学基金 生命科学学院 大学化学 
新型氮化物半导体材料
《高科技与产业化》2010年第11期24-24,共1页李思一 
硅材料作为电子产业的基础,数十年来一直是信息经济发展的实质动力。随着电子器件尺寸的缩小和处理速度的加快,晶体管尺寸已经迫近极限,探索新的物理机制与结构来缩小硅晶体管的线宽也只能延续5~10年,找到替代材料,或开发纳米材料是当...
关键词:半导体材料 氮化物 电子产业 器件尺寸 硅晶体管 经济发展 物理机制 替代材料 
III族氮化物半导体材料
《国外科技新书评介》2007年第7期21-22,共2页孔梅影 
III族氮化物半导体材料(Al,In,Ca)N,(包括GaN、InN、A1N、InGaN、A1GaN和AllnGaN等)是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝一绿一白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和...
关键词:半导体材料 氮化物 III 光电子器件 INGAN 蓝光激光器 INN 高功率 
高性能阴极荧光分析系统及其在氮化物半导体材料研究中的应用被引量:2
《现代仪器》2005年第5期22-25,共4页徐军 徐科 陈莉 张会珍 陈文雄 
"国家973项目"的资助;(批准号:2002CB613505)
本文介绍由场发射环境扫描电镜和高性能阴极荧光谱仪构成的联合分析系统。该系统在图像质量、图像空间分辨、阴极荧光成像及光谱分析等方面具有优越的性能。利用这一系统对氮化物半导体材料的微观特征、器件结构和光学性能的相互关系进...
关键词:氮化物半导体材料 高性能阴极荧光分析系统 场发射环境扫描电镜 高性能阴极荧光谱仪 图像质量 图像空间分辨 阴极荧光成像 光谱分析 微观特征 器件结构 光学性能 
高性能阴极荧光分析系统及其在氮化物半导体材料中的应用
《电子显微学报》2005年第4期386-386,共1页徐军 徐科 陈莉 张会珍 
关键词:阴极荧光分析系统 氮化物 半导体材料 场发射扫描电镜 发光强度 
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料研究概述被引量:5
《稀有金属》1997年第1期52-57,67,共7页李玉增 
综述了GaN、AlN及其固溶体等ⅢⅤ族氮化物半导体材料的结构、性能与MOCVD生长技术,并着重阐明其研制。
关键词:氮化钙 氮化铝 MOCVD MBE 半导体 
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