III族氮化物半导体材料  

III-Nitride Semiconductor Materials

作　　者：孔梅影[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《国外科技新书评介》2007年第7期21-22,共2页Scientific & Technology Book Review

摘　　要：III族氮化物半导体材料（Al，In，Ca）N，（包括GaN、InN、A1N、InGaN、A1GaN和AllnGaN等）是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝一绿一白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的己形成了产业。

关 键 词：半导体材料 氮化物 III 光电子器件 INGAN 蓝光激光器 INN 高功率 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]