在HBr等离子体中加工的InAlAs／InGaAsHFET内RIE诱发的损伤  

作　　者：甘德昌 

出　　处：《等离子体应用技术快报》1996年第3期16-17,共2页

关 键 词：RIE 异质结 场效应 晶体管 

分 类 号：TN386.6[电子电信—物理电子学]