多孔硅的形成与电流电压特性研究  

作　　者：沈桂芬[1] 黄和鸾[1] 王正荣[1] 高博静[1] 刘岩[1] 郭兴加 

机构地区：[1]辽宁大学电子科学与工程系,辽宁大学物理系,辽宁大学分析与测试中心

出　　处：《半导体技术》1996年第1期50-54,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。

关 键 词：多孔硅 阳极氧化 量子限制效应 电流-电压特性 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]