黄和鸾

作品数：17被引量：13H指数：2
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供职机构：辽宁大学更多>>
发文主题：SI应变层超晶格碳化硅半导体材料ZNSE更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程更多>>
发文期刊：《微处理机》《半导体技术》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金辽宁省科委自然科学基金更多>>
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C^+注入Si中形成SiC的初步研究被引量：2
《辽宁大学学报（自然科学版）》2000年第1期46-48,共3页吴春瑜 王颖 刘兴辉 黄和鸾 
辽宁省科委自然科学基金;辽宁省教委自然基金
将C+离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C+离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析.
关键词：碳化硅 离子束合成 能量损失谱 半导体材料 
球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变被引量：2
《中国科学（E辑）》1999年第1期21-25,共5页杨晓云 石广元 黄和鸾 吴玉琨 
国家自然科学基金! (批准号 :5 96 710 31);沈阳市科委资助
X射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α SiC向β SiC的转变 .高分辨电子显微术证实α SiC中的 6H SiC向β( 3C) SiC的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的 .其基本过程是不全位错的运动使 6...
关键词：碳化硅 多型转变 球磨 半导体 X射线衍射分析 
SiC结构的多型性被引量：2
《辽宁大学学报（自然科学版）》1998年第4期351-354,共4页杨晓云 石广元 黄和鸾 
沈阳市科委基金
本文介绍了ＳｉＣ结构的多型性及其表示方法，总结了迄今为止已发现的１６０余种多型体，并介绍了本文作者发现的一个新的多型体１１４Ｒ－ＳｉＣ．ＨＪ１〗
关键词：碳化硅 多型体 陶瓷 Ramsdell符号 ABC符号 
球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察
《电子显微学报》1998年第5期547-548,共2页杨晓云 石广元 黄和鸾 吴玉琨 
国家自然科学基金;辽宁省博士后起动基金;沈阳市科委资助
ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００...
关键词：晶体 HREM 碳化硅 多型体 球磨诱变 
(ZnSe)_n/(ZnS)_m应变层超晶格的光吸收系数
《吉林大学自然科学学报》1998年第3期68-71,共4页李志杰 黄和鸾 潘学铃 
用L-K有效质量理论研究［001］方向生长的（Znse）n／（ZnS）m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数．结果表明，光吸收系数与附宽和垒厚有关．
关键词：应变层超晶格 亚带结构 光吸收系数 半导体 
介电常数失配对InAs/GaAs应变量子阱中浅施主结合能的影响
《功能材料与器件学报》1997年第3期187-192,共6页邢金海 黄和鸾 
研究了介电常数失配对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中浅施主结合能的影响。在有效质量近似下，利用变分方法计算了结合能随阱宽和杂质位置的变化。计算结果表明，介电常数失配对结合能的影响很大，这与前人的工作相符合，但晶格常数失...
关键词：量子阱 浅施主 结合能 介电常数 砷化铟 砷化镓 
多孔硅形貌的观测与生长机理分析被引量：3
《电子显微学报》1997年第1期39-43,共5页沈桂芬 黄和鸾 王正荣 高博静 刘岩 郭兴家 李莹 
本文在实验基础上，对多孔硅的形成形貌学进行了研究。用日立Ｓ－７５０型扫描电镜观测了不同条件下生长的多孔硅的正面和侧面孔的形貌。对得到的实验结果进行了较为详细的分析。
关键词：多孔硅 阳极氧化 量子限制效应 形貌学 生长机理 
（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构
《半导体技术》1996年第3期54-57,64,共5页张国英 刘贵立 黄和鸾 
本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳ...
关键词：应变 超晶格 电子结构 态密度 
多孔硅的形成与电流电压特性研究
《半导体技术》1996年第1期50-54,共5页沈桂芬 黄和鸾 王正荣 高博静 刘岩 郭兴加 
本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。
关键词：多孔硅 阳极氧化 量子限制效应 电流-电压特性 
热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究
《Journal of Semiconductors》1995年第8期594-597,共4页杨玉琨 李文明 于磊 杨易 徐立兴 熊欣 王善力 黄和鸾 
半导体超晶格国家重点实验室资助
本文报道了首次用热壁外延（ＨＷＥ）方法，在Ｓｉ（１００）衬底上，制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果．由Ｘ－射线衍射谱确认，ＰｂＴｅ外延层是单晶，Ｉ－Ｖ曲线表明，该异质具有良好的整流特性．由Ｃ－Ｖ测量得到...
关键词：碲化铅 异质结 热壁外延 硅 
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