（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构  

作　　者：张国英[1] 刘贵立[1] 黄和鸾[1] 

机构地区：[1]电子工业部东北微电子研究所,沈阳工业大学基础部,辽宁大学电子科学与工程系

出　　处：《半导体技术》1996年第3期54-57,64,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。

关 键 词：应变 超晶格 电子结构 态密度 

分 类 号：O734[理学—晶体学] TN304.053[电子电信—物理电子学]