(ZnSe)_n/(ZnS)_m应变层超晶格的光吸收系数  

Optical Absorption Coefficient in (ZnSe)_n/ (ZnS)_m Strained-lay Superlattices

作　　者：李志杰[1] 黄和鸾[2] 潘学铃[3] 

机构地区：[1]沈阳工业大学数理系,沈阳110023 [2]辽宁大学,沈阳110036 [3]沈阳大学,沈阳110043

出　　处：《吉林大学自然科学学报》1998年第3期68-71,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Jilinensis

摘　　要：用L-K有效质量理论研究［001］方向生长的（Znse）n／（ZnS）m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数．结果表明，光吸收系数与附宽和垒厚有关．The subband structures and optical absorption coefficient of (ZnSe)_n/(ZnS)_m strained-lay superlattices in [001] were calculated with the effective-mass approximation. The results indicate that the optical obsorption coefficient varies with the well-width and the barrier-width.

关 键 词：应变层超晶格 亚带结构 光吸收系数 半导体 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]