C^+注入Si中形成SiC的初步研究  

A Simple Study of β-SiC in C^+-implanted Silicon

作　　者：吴春瑜[1] 王颖[1] 刘兴辉[1] 黄和鸾[1] 

机构地区：[1]辽宁大学电子系,辽宁沈阳110036

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2000年第1期46-48,共3页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

基　　金：辽宁省科委自然科学基金;辽宁省教委自然基金

摘　　要：将C+离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C+离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析.Carbon ions were implanted into Si substrates at an energy of 45 keV with a dose of 5×10 17 cm -2 at about 400℃ after high temperature annealing. The precipitates of β-SiC were formed. The β-SiC buried layer is studied by x ray photo emission spectroscopy (XPS)、 Fourier transform infrared spectroscope(FTIR) and Auger electronic spectroscope (AES).

关 键 词：碳化硅 离子束合成 能量损失谱 半导体材料 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]