离子束合成

作品数：29被引量：51H指数：3
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高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究
《功能材料与器件学报》2004年第3期323-326,共4页邢玉梅 俞跃辉 林梓鑫 宋朝瑞 杨文伟 
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等...
关键词：碳化硅 埋层 离子束合成 结构 退火 结晶性能 
离子束合成的钇硅化物结构相变研究
《材料科学与工艺》2003年第4期370-371,共2页王文武 姜宁 谢二庆 贺德衍 
国家自然科学基金资助项目(10175030);高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助项目.
为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红...
关键词：钇硅化物 离子注入法 单晶硅 X射线衍射 超大规模集成电路 线路连接技术 
离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征
《物理学报》2003年第1期233-236,共4页王文武 谢二庆 贺德衍 
国家自然科学基金 (批准号 :6980 60 0 5 );甘肃省自然科学基金资助的课题~~
将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 ....
关键词：离子束合成 钇硅化物 离子注入 红外光辐照处理 特征红外光谱 大规模集成电路 
医用金属表面溶胶-凝胶法和离子束合成TiO_2薄膜的结构、性能比较被引量：8
《无机材料学报》2002年第4期797-804,共8页刘敬肖 杨大智 史非 蔡英骥 
国家自然科学基金(50081001);国家科技部科技攻关项目(96-907-04-05);国家高技术(863)新材料领域专家委员会资助项目(715-002-0240);大连理工大学三束材料表面改性国家重点联合实验室资助(9807)
采用溶胶-凝胶法和离子束增强沉积法在医用NiTi合金表面制备TiO2薄膜以提高其生物相容性.利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和X光电子能谱（XPS）对薄膜的结构、表面形貌及组成进行了比较研究;电化学腐蚀实验表明,两种方法制备...
关键词：溶胶-凝胶法 离子束合成 TIO2薄膜 肝素 固定 结构 性能 药物载体 医用金属材料 生物陶瓷膜 
SiC埋层的制备与性质研究被引量：2
《功能材料与器件学报》2002年第1期5-7,共3页吴春瑜 沈桂芬 王颖 朱长纯 李玉魁 白纪彬 
辽宁省科委自然科学基金(No.972094);国家自然科学基金资助项目(No.69876013)
在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层。通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的...
关键词：离子束合成 能量损失谱 碳化硅埋层 半导体材料 制备 性质 
离子束合成TiO_2薄膜对医用NiTi合金表面的改性被引量：19
《材料研究学报》2001年第4期445-450,共6页刘敬肖 杨大智 徐久军 陈吉华 蔡英骥 
国家科技部科技攻关项目96-907-04-05;八六三新材料领域资助项目715-002-0240;国家自然科学基金资助项目5
采用离子束增强沉积法制备ＴｉＯ２薄膜，对医用ＮｉＴｉ合金进行表面改性处理．系统研究了薄膜的表面组成、结构、形貌及耐蚀性、亲水性等与血液相容性相关的表面性质．ＮｉＴｉ合金表面沉积ＴｉＯ２薄膜后、抗模拟体液的腐蚀性提高，...
关键词：NITI合金 TIO2薄膜 表面性质 表面改性 血管内支架 材料 离子束增强沉积法 镍钛合金 二氧化钛 经皮穿刺介入冠状动脉成形术 
双能级离子束合成氮化类金刚石试验研究
《徐州建筑职业技术学院学报》2001年第1期25-27,34,共4页陈祝平 王可寰 
以 2 5 0～ 5 0 0eV的低能离子束轰击溅射石墨靶在钢上沉积非晶态碳膜 ,再以 2 5～ 35keV的高能离子束将离化的双原子分子氮注入非晶态碳膜 .纳米硬度分析表明了离子注氮后的硬度从2 0～ 30GPa提高到 2 7～ 4 2MPa范围 ;激光拉曼谱显示 ...
关键词：离子注入 类金刚石 离子束氮化 双能级离子束 轰击技术 氮化碳 试验研究 非晶态碳膜 薄膜 
EVVA源离子束合成镧硅化物被引量：1
《北京师范大学学报（自然科学版）》2000年第2期200-204,共5页肖志松 徐飞 程国安 易仲珍 张通和 
国家自然科学基金资助项目!(5 96 710 5 1)
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过...
关键词：离子注入 硅 MEVVA源离子束 镧硅化物 合成 
SiC及其离子束技术在SiC研究中的应用
《中山大学研究生学刊（自然科学与医学版）》2000年第1期8-12,共5页阳生红 
本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构、材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束合成、掺杂、器件隔离与钝化。
关键词：SIC 晶体结构 离子束技术 宽禁带导体材料 碳化硅 离子束合成 掺杂 
C^+注入Si中形成SiC的初步研究被引量：2
《辽宁大学学报（自然科学版）》2000年第1期46-48,共3页吴春瑜 王颖 刘兴辉 黄和鸾 
辽宁省科委自然科学基金;辽宁省教委自然基金
将C+离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C+离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析.
关键词：碳化硅 离子束合成 能量损失谱 半导体材料 
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