高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究  

Structure study of SiC buried layer by high temperature C^+ implantation

作　　者：邢玉梅[1,2] 俞跃辉[1] 林梓鑫[1] 宋朝瑞[1] 杨文伟[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室 [2]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《功能材料与器件学报》2004年第3期323-326,共4页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。Carbon ions were implanted into p-Si (100) substrates by ion beam synthesis method with doses of 8.0×1017cm-2 and 9.0×1017cm-2 at about 700℃, followed by high temperature annealingat 1250℃for 5h in Ar. Composition and structure of the SiC buried layer were characterized by infrared reflective spectroscopy (IRRS), Rutherford backscattering (RBS) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The results all prove the formation of good crystalline SiC buried layerand an epitaxial alignment with silicon substrates.

关 键 词：碳化硅 埋层 离子束合成 结构 退火 结晶性能 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]