球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变  

作　　者：杨晓云[1] 石广元[1] 黄和鸾[1] 吴玉琨[2] 

机构地区：[1]辽宁大学电子科学与工程系,沈阳110036 [2]中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室,沈阳110015

出　　处：《中国科学（E辑）》1999年第1期21-25,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金! (批准号 :5 96 710 31);沈阳市科委资助

摘　　要：X射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α SiC向β SiC的转变 .高分辨电子显微术证实α SiC中的 6H SiC向β( 3C) SiC的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的 .其基本过程是不全位错的运动使 6H的一个 ( 3,3)堆垛向 ( 4,2 ) ,( 5 ,1 )至 ( 6 ,0 )堆垛序过渡 ,形成 6层 3C SiC的{1 1 1 }堆垛 ,相继进行这一过程即可完成 6H SiC向 3C SiC的转变 .

关 键 词：碳化硅 多型转变 球磨 半导体 X射线衍射分析 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]