球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察  

作　　者：杨晓云[1,2] 石广元[1,2] 黄和鸾[1,2] 吴玉琨[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室 [2]辽宁大学

出　　处：《电子显微学报》1998年第5期547-548,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家自然科学基金;辽宁省博士后起动基金;沈阳市科委资助

摘　　要：ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...

关 键 词：晶体 HREM 碳化硅 多型体 球磨诱变 

分 类 号：O766.1[理学—晶体学]