硅发光研究新进展  

Recent Progress on Silicon Luminescence

作　　者：陈钰杰[1] 林旭彬[1] 李宝军[1] 

机构地区：[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州510275

出　　处：《激光与光电子学进展》2005年第11期9-13,共5页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：国家自然科学基金重大项(90401008)新世纪优秀人才支持计划教育部科学技术研究重点项目(104144)高等学校博士学科点专项科研基金(20040558009)广州市科技计划项目--纳米专项(2004Z3-D2051)资助课题。

摘　　要：回顾了硅发光的研究历程,归纳了新近各种实现硅发光的方法及其优缺点,其中包括单晶硅、纳米晶硅、掺Er硅 纳米簇、Si/Ge量子级联结构、THz发射以及硅的受激拉曼散射等方法,并详细介绍了最近在硅拉曼激光器的结构设计、实 验装置及其光谱图等方面的新突破。The various approaches in silicon luminescence research are reviewed. Those approaches include bulk silicon, silicon nanocrystals, Er-coupled nanoclusters, Si/Ge quantum cascade structures, Terahertz emission, stimulated Raman scattering, etc. great progress and achievement on silicon luminescence research have been introduced and described from structure design, experimental setup and spectrogram of Raman silicon lasers.

关 键 词：光子器件 硅发光 硅激光器 受激拉曼散射 硅发光 受激拉曼散射 拉曼激光器 纳米晶硅 级联结构 结构设计 实验装置 单晶硅 纳米簇 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN253