云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 硅发光

硅发光: 作品数：30被引量：66H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：陈弘达刘海军黄北举徐飞秦国刚更多>>; 相关机构：中国科学院台湾大学北京大学复旦大学更多>>; 相关期刊：《稀土信息》《中国激光》《物理学报》《Engineering》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金陕西省教育厅科研计划项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>

Future Technologies and Applications of Ⅲ-Nitride Materials and Devices被引量：5: 《Engineering》2015年第2期161-161,共1页Shuji Nakamura; Ⅲ-nitride light-emitting diodes(LEDs)are now used almost everywhere,due to their energy-saving capability.In the near future,the vast majority of lighting sources will undoubtedly be based on LEDs.What future technol...; 关键词：氮化硅材料应用技术硅发光二极管器件照明光源 LED GAN

飞秒脉冲激光辐照对硅发光性能的影响被引量：4: 《物理学报》2014年第5期379-386,共8页朱敏李晓红李国强常利阳谢长鑫邱荣李家文黄文浩; 国家自然科学基金(批准号:11204250);四川省教育厅重点项目(批准号:12ZA186);极端条件物质特性联合实验室开放基金(批准号:12zxjk02)资助的课题~~; 利用飞秒脉冲激光对单晶硅进行辐照,研究了在不同环境(纯水和空气)和能量密度条件下激光刻蚀过后硅片的光致荧光特性.对于辐照后的硅片,利用了场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、光致荧光光谱仪(PL)...; 关键词：飞秒脉冲激光单晶硅光致发光氧缺陷SiOx

稀土Sm掺杂钙硼硅发光玻璃的微晶化及其荧光增强效应: 《陕西科技大学学报（自然科学版）》2013年第3期37-41,共5页乔荫颇殷海荣潘云娟乔璐刘婷王文仕; 中国博士后科学基金面上项目(20110491640);陕西省教育厅科研计划项目(11JK0839);陕西科技大学博士科研启动基金项目(BJ10-11);陕西科技大学创新创业训练计划项目(201210708011); 用高温熔融法制备了掺杂Sm2O3的CaO-B2O3-SiO2(CBS)发光玻璃材料,采用示差扫描量热法(DSC)确定了合适的核化/晶化温度制度.在不同核化/晶化温度制度下制备得到了微晶发光玻璃,并对其结构及光谱学特性进行了研究.X射线衍射(XRD)分析表明...; 关键词：发光玻璃核化晶化温度微晶玻璃荧光强度荧光寿命

稀土Sm_2O_3掺杂钙硼硅发光玻璃的光致发光行为研究被引量：4: 《功能材料》2012年第3期363-366,共4页乔荫颇朱振峰华斯嘉茆世茸; 中国博士后科学基金面上资助项目(20110491640);陕西省教育厅科研计划资助项目(11JK0839);陕西科技大学科研启动基金资助项目(BJ10-11); 用高温熔融法制备了掺杂Sm2O3的CaO-B2 O3-SiO2(CBS)发光玻璃材料,并对其光谱学特性进行了研究。紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱表明Sm2O3掺杂发光玻璃在紫外区有较强吸收并在可见光区具有良好的透过率。光谱学测试表明,掺杂发光玻璃在404n...; 关键词：稀土掺杂 SM2O3 发光玻璃光致发光浓度猝灭光转换

Design and fabrication of Si LED with the N-well-P^+ junction based on standard CMOS technology被引量：4: 《Optoelectronics Letters》2010年第1期15-17,共3页杨广华毛陆虹黄春红王伟郭维廉; supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos.60536030,60676038);the Key Project of Tianjin (No.06YFJZJC00200); A wedge shape Si LED is designed and fabricated with 0.35 μm double-grating standard CMOS technology. The device structure is based on the N-well-P+ junction. The P+ has a wedge shape and is surrounded by the N-well....; 关键词：硅发光二极管 CMOS技术标准设计制造微米技术显微照片光谱测试

标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析: 《半导体技术》2009年第5期411-413,422,共4页杨广华毛陆虹王伟黄春红郭维廉; 国家自然科学基金资助课题(60536030,60706015);天津市应用基础及前沿技术研究计划重点项目(06YFJZJC00200,08JCZDJC24100); 描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的...; 关键词：硅发光二极管 CMOS标准工艺侧面发光辐射亮度发光峰值

硅发光研究与进展被引量：10: 《中国激光》2009年第2期269-275,共7页张荣君陈一鸣郑玉祥陈良尧; 国家自然科学基金重点项目(60638010);国家自然科学基金面上项目(60327002;60778028);教育部留学回国人员科研启动基金资助项目; 微电子技术的瓶颈和信息技术发展的需求加速了光电子学在硅基材料上实现光信息处理、光电子集成的研究,利用硅基材料制造出高质量的发光器件对光电子学以至整个信息技术均具有重要意义。由于受间接带隙能带结构的限制,天然硅材料具有很...; 关键词：光电子学硅发光光子器件硅基光源硅纳米晶体

NEC新型硅二极管高速实现光电转换: 《光机电信息》2007年第10期68-68,共1页; NEC开发成功了可将光信号高速转换为电信号的硅发光二极管，并在“国际纳米综合展·技术会议（nanotech2005）”上展出。通过采用硅材料生产，不仅可以减小光通信系统的体积、实现低成本，而且将来还有望在LSI内部的光布线中使用。; 关键词：硅二极管 NEC 光电转换硅发光二极管光通信系统技术会议材料生产电信号

发光二极管: 《中国照明电器光源灯具文摘》2007年第3期31-33,共3页; 0732901灯具市场黑马硅发光技术前景广阔[刊]／s·k·t/／中国照明，--2006年第7期，第1页。加拿大Grouplv公司的目标是在三年内开始生产硅发光照明灯具。硅发光可克服发光二极管不能提供全色光谱等缺点。; 关键词：发光二极管照明灯具硅发光发光技术灯具市场加拿大

室内灯具: 《中国照明电器光源灯具文摘》2007年第3期35-36,共2页; 0733801灯具市场黑马硅发光技术前景广阔【刊】／s·k·t，／中国照明， —2006年第7期，第l页。加拿大Grouplv公司的目标是在三年内开始生产硅发光照明灯具。硅发光可克服发光二极管不能提供全色光谱等缺点。; 关键词：室内灯具照明灯具发光二极管硅发光发光技术灯具市场加拿大光谱

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