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机构地区:[1]东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏南京210096
出 处:《应用科学学报》2005年第6期595-599,共5页Journal of Applied Sciences
摘 要:基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处IIP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.A current-steering IF VGA based on an analog multiplier is designed. A nonlinear model is established and analyzed based on the MOSFET 1-V model in strong inversion, and a linearity optimization method is presented. Simulation results based on O. 25μm CMOS technology indicate that about a 33 dB decrease in the third order inter-modulation at maximum input and a 12 dB increase in gain control range of the optimized VGA with 3.3 V supply voltage are obtained. The IIP3 at the minimum gain setting is 17.5 dBm, and the minimum NF is 7.8 dB.
分 类 号:TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]
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