半导体超晶格物理与器件(20)  

作　　者：彭英才[1] 

机构地区：[1]河北大学电子与信息工程系,071002

出　　处：《半导体杂志》1996年第2期51-55,共5页

摘　　要：在半导体超晶格物理与器件的研究中,锗硅超晶格、异质结、量子阱材料与器件的研究占据着十分重要的地位.这是因为,以Si_(1-x)Ge_x/Si和Ge/Si为主的硅基低维材料具有许多显著不同于体单晶硅,而且相异于Ⅲ-V族超晶格的优异性质,如可生长大直径尺寸单晶,机械强度高、导热性能好、制备工艺成熟、价格低廉,SiGe合金中Ge的组分可调,可与现代微电子技术相兼容,布里渊区的折叠效应可使Si由间接带隙变为直接带隙等,因此在微米波段,毫米波段,超高速ECL电路,红外焦平面阵列等高速电子器件及其集成光电子器件中有着潜在的应用.

关 键 词：半导体 超晶格物理 器件 

分 类 号：O471[理学—半导体物理] TN303[理学—物理]