改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流  

作　　者：朱光华[1] 郑国祥[1] 

机构地区：[1]华东理工大学光电器件研制室,复旦大学物理系

出　　处：《半导体技术》1996年第4期48-51,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：为降低硅光电探测器ｐ－ｎ结反向暗电流，可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺ＰＣＤＴ。在实施过程中，作者对吸除工艺、应力补偿工艺等作了改进，进一步降低了反向暗电流。

关 键 词：硅光电探测器 暗电流 吸除工艺 应力补偿工艺 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]