BARC工艺在亚微米光刻中的应用  

BARC Process Used for Sub-micrometer Photolithography

作　　者：顾志光[1] 孙钧 郑国祥[1] 龚大卫 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433 [2]上海先进半导体制造有限公司,上海200030

出　　处：《固体电子学研究与进展》2005年第4期545-548,558,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(BottomAnti-ReflectiveCoating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%～7%。Sub-micron Poly-Si （with strong light reflectivity） pattern obtained by using BARC （Bottom anti-reflective coating） process that degrades the wafer surface steps height, and weakens standing wave effect. Thus, fine pattern is obtained and it increases in the device yield by 6%-7%.

关 键 词：驻波效应 抗反射膜 亚微米 深亚微米光刻 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]