顾志光

作品数：21被引量：25H指数：3
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供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
发文主题：固相反应硅氮化铝固相快速退火更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《功能材料》《应用科学学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
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适用于纳米电子器件的超长硅纳米线合成被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第6期961-965,共5页陈扬文 江素华 刘丽蓓 邵丙铣 顾志光 戎瑞芬 汪荣昌 
上海-应用材料研究与发展基金(06SA02)资助项目
采用SiO为起始原料、Ar为载气，蒸发温度1300℃、压力1～2×104Pa的生长条件下，成功地合成了超长的单晶硅纳米线；以SiO和P205混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂；借助电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）分...
关键词：超长硅纳米线 热蒸发 掺杂 
Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺
《微纳电子技术》2008年第10期606-610,共5页陈扬文 江素华 邵丙铣 戎瑞芬 汪荣昌 顾志光 王家楫 
研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进...
关键词：SI纳米线 磁控溅射 镀Ni 退火 薄膜 
无铅焊料Sn-9Zn-xLa的制备及性能被引量：3
《复旦学报（自然科学版）》2008年第3期403-407,共5页王炜 江素华 戎瑞芬 王珺 汪荣昌 顾志光 
国家自然科学基金资助项目(69836030-I)
采用粉末冶金技术成功制备了La含量为x（其中x=0．1％～0．5％）的无铅焊料Sn-9Zn—xLa，应用DTA，SEM，XRD等技术分析了焊料的熔点，形貌，微结构，成分，焊料与Cu基板的粘附性等性能，并获得这些性能随La添加量而变化的规律．研究表...
关键词：无铅焊料 Sn-9Zn—xLa 润湿性 IMC 剪切强度 
BARC工艺在亚微米光刻中的应用被引量：2
《固体电子学研究与进展》2005年第4期545-548,558,共5页顾志光 孙钧 郑国祥 龚大卫 
在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(BottomAnti-ReflectiveCoating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%～7%。
关键词：驻波效应 抗反射膜 亚微米 深亚微米光刻 
银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究
《半导体技术》2004年第3期41-43,75,共4页戎瑞芬 汪荣昌 顾志光 
从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶,从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制。结果表明,二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结,获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板。
关键词：低温共烧 氮化铝 银浆 排胶 银布线多层陶瓷基板 
高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第4期520-525,共6页廖淼 李越生 汪荣昌 戎瑞芬 顾志光 
国家自然科学基金重点项目资助(项目编号 6983 60 3 0 )
从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界...
关键词：集成电路 高密度封装 氮化铝 AIN 玻璃 复合材料 低温共烧 排胶 烧结 
应用于蓝牙技术发展的LTCC——AlN多层布线工艺
《功能材料》2002年第5期518-520,523,共4页汪荣昌 顾志光 戎瑞芬 李勇 邵丙铣 宗祥福 
国家自然科学基金重点项目资助 (698360 30 )
现代IT产业的发展催生了蓝牙技术的发展。而蓝牙技术的发展迫切需要发展高性能三维功能衬底技术。AlN陶瓷具有优良的综合性能。研究了AlN流延坯和Ag导体浆料的低温共烧技术 ,比较了在AlN成瓷基板上的各种金属化工艺。
关键词：蓝牙技术 LTCC-A1N多层布线工艺 金属化工艺 
以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2001年第2期211-215,共5页胡向洋 汪荣昌 顾志光 戎瑞芬 邵丙铣 宗祥福 
国家自然科学基金重点项目资助 !(项目编号 6 9836 0 30 )
研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。
关键词：氮化铝 倒扣封装 化学镀 激光诱导淀积 陶瓷 基板 
以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究被引量：1
《半导体技术》2000年第5期29-32,共4页胡向洋 汪荣昌 顾志光 戎瑞芬 邵丙铣 宗祥福 
国家自然科学基金!69836030
详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。
关键词：氮化铝 倒装式封装 陶瓷 基板 
TiO_2薄膜敏感特性研究被引量：2
《传感技术学报》1999年第3期164-170,共7页肖梦秋 汪荣昌 顾志光 戎瑞芬 
利用 ＭＯＣＶＤ工艺可制备得到锐钛矿型ＴｉＯ２薄膜，在其上溅射金属 Ｐｔ并控制工艺流程的温度，Ｐｔ／ＴｉＯ２间将形成良好的金半整流接触．该Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管在常温下表现出良好的气敏特性，响应时间短，对稳定环境中...
关键词：肖特基二极管 MOCVD TIO2 伏安特性 
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