王家楫

作品数：31被引量：111H指数：6
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供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
发文主题：集成电路深亚微米聚焦离子束FIB可靠性更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《质谱学报》《甘肃科学学报》《电子工业专用设备》《集成电路应用》更多>>
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镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖被引量：1
《半导体技术》2013年第8期623-628,共6页浦浩楠 王家楫 俞宏坤 
铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛。其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一。由于烧球工艺为瞬态过程,因此在形成FAB后其表面的钯可能会出...
关键词：封装 铜引线键合 镀钯铜线 钯覆盖 电子火焰熄灭(EFO) 自由空气球 (FAB) 
铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究被引量：5
《半导体技术》2011年第11期880-884,共5页刘兴杰 张滨海 王德峻 从羽奇 王家楫 
由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊...
关键词：封装 铜线键合 微结构 金属间化合物 扩散 
铜线键合的抗氧化技术研究被引量：2
《半导体技术》2011年第1期17-21,共5页范象泉 王德峻 从羽奇 张滨海 王家楫 
在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球...
关键词：引线键合 铜线 氧化 镀钯 保护气体 
镀Pd Cu线键合工艺中Pd行为研究被引量：3
《半导体技术》2010年第6期564-568,共5页张滨海 钱开友 王德峻 从羽奇 赵健 范象泉 王家楫 
由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装。但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等。表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种防止Cu氧化的解决方案。然而,Cu线表面的Pd层很...
关键词：封装 铜线键合 镀钯层 金属间化合物 
IC键合铜线材料的显微力学性能研究被引量：1
《电子元件与材料》2010年第4期61-64,共4页范象泉 钱开友 王德峻 从羽奇 王家楫 
用于IC(集成电路)的键合铜线材料具有低成本、优良的导电和导热性等优点,但其高硬度容易对铝垫和芯片造成损伤,因此对其硬度的测量是一项关键技术。纳米压痕测量技术可以方便、准确地测量铜线材料的显微硬度值和其他力学性能参数。描述...
关键词：IC引线键合 铜线 纳米压痕 显微结构 
Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺
《微纳电子技术》2008年第10期606-610,共5页陈扬文 江素华 邵丙铣 戎瑞芬 汪荣昌 顾志光 王家楫 
研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进...
关键词：SI纳米线 磁控溅射 镀Ni 退火 薄膜 
红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用被引量：5
《分析仪器》2008年第5期15-18,共4页张滨海 方培源 王家楫 
随着超大规模集成电路的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微镜技术,能利用集成电路(IC)器件中大多数缺陷都呈现微弱红外发光的现象,迅速准确地定位失效点,成为对IC进...
关键词：集成电路 失效分析 红外发光显微镜 激光束诱导电阻率变化测试技术 
板级跌落试验下BGA焊球的疲劳裂纹行为研究被引量：6
《半导体技术》2008年第7期585-588,共4页樊平跃 祁波 王家楫 
BGA焊球内部裂纹的生长是跌落可靠性试验中焊球失效的根本原因。比较和研究了无铅及有铅焊球在板级跌落试验下疲劳裂纹的行为。通过跌落试验获得了BGA焊球在不同加速度水平下的平均寿命,接着在同一加速度水平下跌落不同次数,使用荧光染...
关键词：球阵列封装 可靠性 疲劳裂纹行为 失效机制 
由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析被引量：6
《半导体技术》2007年第11期1003-1006,共4页陶剑磊 方培源 王家楫 
ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发...
关键词：CMOSIC 静电放电 失效分析 
无铅BGA封装可靠性的跌落试验及焊接界面微区分析被引量：7
《复旦学报（自然科学版）》2006年第6期694-701,共8页祁波 朱笑鶤 陈兆轶 王家楫 
复旦-三星可靠性联合实验室基金资助项目
通过进行BGA封装的可靠性力学试验(高加速度跌落试验),研究了机械冲击和应力对无铅BGA封装焊点的可靠性的影响,并通过对失效BGA封装焊点的微观结构和成分的SEM/EDX分析,寻找影响焊点可靠性的主要因素,研究结果表明,焊点的失效模式较为复...
关键词：无铅BGA封装 可靠性跌落试验 金属间化合物(IMC) 
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