张滨海

作品数：4被引量：15H指数：3
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发文主题：金属间化合物集成电路镀钯CU/AL扩散更多>>
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发文期刊：《分析仪器》《半导体技术》更多>>
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铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究被引量：5
《半导体技术》2011年第11期880-884,共5页刘兴杰 张滨海 王德峻 从羽奇 王家楫 
由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊...
关键词：封装 铜线键合 微结构 金属间化合物 扩散 
铜线键合的抗氧化技术研究被引量：2
《半导体技术》2011年第1期17-21,共5页范象泉 王德峻 从羽奇 张滨海 王家楫 
在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球...
关键词：引线键合 铜线 氧化 镀钯 保护气体 
镀Pd Cu线键合工艺中Pd行为研究被引量：3
《半导体技术》2010年第6期564-568,共5页张滨海 钱开友 王德峻 从羽奇 赵健 范象泉 王家楫 
由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装。但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等。表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种防止Cu氧化的解决方案。然而,Cu线表面的Pd层很...
关键词：封装 铜线键合 镀钯层 金属间化合物 
红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用被引量：5
《分析仪器》2008年第5期15-18,共4页张滨海 方培源 王家楫 
随着超大规模集成电路的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微镜技术,能利用集成电路(IC)器件中大多数缺陷都呈现微弱红外发光的现象,迅速准确地定位失效点,成为对IC进...
关键词：集成电路 失效分析 红外发光显微镜 激光束诱导电阻率变化测试技术 
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