高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究  

Study of Low Temperature Cofi red AlN/Glass Composite for High-density Package

作　　者：廖淼[1] 李越生[1] 汪荣昌[1] 戎瑞芬[1] 顾志光[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第4期520-525,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金重点项目资助(项目编号 6983 60 3 0 )

摘　　要：从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界面状况 ,有利于 AlAlN/glass composi te has been low temperately cofired with silver conductor. The study shows that burnout characteristic of green tape and silver paste is different and more effe ctive in oxygenous atmosphere. Microstru cture of AlN/glass composite porves that its sintering is liquid sintering. Mini m-oxygenous atmosphere of sintering chan ged the interface and benefited cofirin g with silver.

关 键 词：集成电路 高密度封装 氮化铝 AIN 玻璃 复合材料 低温共烧 排胶 烧结 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]