GaAs与Si超高速数字集成电路的性能比较  

Digital VHSIC Performance Comparison Between GaAs and Si

作　　者：徐晓莉[1] 童勤义[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《固体电子学研究与进展》1989年第1期92-99,共8页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金6866010)资助

摘　　要：本文介绍了GaAs与Si超高速数字集成电路(数字VHSIC)目前的进展情况。从材料特性、器件结构及高速集成电路的应用等方面对GaAs与Si数字VHSIC的性能进行了初步比较。探讨了GaAs与Si数字VHSIC的发展潜力及存在的主要问题。In this paper, the current R & D of GaAs and Si digital VHSIC are viewed and their performances are compared in terms of material characteristics, device structure and logic circuit applications. The speed potentials and the existing problems are also discussed.

关 键 词：GAAS SI 数字集成电路 超高速 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]