用于材料改性的宽束离子源现状及其发展  

STATUS AND DEVELOPMENT OF BROAD BEAM ION SOURCES FOR MATERIAL MODIFICATION

作　　者：尤大纬[1] 冯毓材[1] 王宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院空间科学与应用研究中心

出　　处：《微细加工技术》1996年第1期67-75,共9页Microfabrication Technology

摘　　要：本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。The demands on the broad ion sources for material modification are described. The kaufman gas ion sources and the Electron beam evaporation metal ion source (EBE) of high current are emphasised. The RF, ECR, as well as MEVVA sources are also introduced.

关 键 词：离子束 材料改性 离子源 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]