多层NMOS技术对I/O接口的ESD保护作用  

Stracked-NMOS Triggered Silicon-controlled Rectifier for ESD Protection in High/Low-Voltage-Tolerant I/O Interface

作　　者：李翠[1] 柳海生 袁晓岚[1] 

机构地区：[1]东北微电子研究所,沈阳110032 [2]加野麦克斯仪器(沈阳)有限公司,沈阳110136

出　　处：《微处理机》2005年第6期7-9,共3页Microprocessors

摘　　要：本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器(SNTSCR)作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I/O端。与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性的CMOS工序充分兼容。在0.35μmCMOS工序中,有不同参数布局的ESD SNTSCR工艺已经研究过。带有120μm NMOS堆栈沟道的I/O端的人体模式ESD(HBM ESD)电平可以借助只有60μm/0.35μm的SNTSCR由2kv提高到8kv。A stracked -NMOS triggered silicon -controlled rectifier（SNTSCR） is proposed as the electrostatic discharge （ESD） clamp device to protect the mixed-voltage I/O buffers of CMOS Ics. This SNTSCR device is fully compatible to general CMOS processes without using the thick gate oxide to overcome the gate - oxide reliability issue. ESD robustness of the proposed SNTSCR device with different layout parameters has been investigated in a 0.351μm CMOS process. The HBM ESD level of the mixed - voltage I/O buffer with the stacked - NMOS channel width of 120μm can be obviously improved from the original -2kv to be greater than 8kv by this SNTSCR device with a device dimension of only 60μm/ 0. 35μm.

关 键 词：静电放电(ESD) ESD保护 多种组合电平I/O端 控制硅整流器(SCR) 

分 类 号：TN306[电子电信—物理电子学]