γ辐照对晶体管电学参数的影响  

作　　者：王锦荣[1] 高仲林[1] 

机构地区：[1]江苏里下河地区农业科学研究所,扬州225002

出　　处：《核农学通报》1996年第2期75-76,共2页

摘　　要：研究了掺磷、硼的NPN型电子器件的反向击穿电压BV_(CEO)、BV_(CBO)和放大系数H_(FE)在^(60)Co γ射线辐照下受到的影响,用辐射引起的点缺陷对获得的实验结果进行了讨论和解释。

关 键 词：Γ辐照 电学参数 点缺陷 晶体管 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]