玻璃基硅光波导的研制  

Study of silicon-on-glass waveguides

作　　者：李广波[1] 龙文华[2] 贾科淼[1] 江晓清[1] 王明华[1] 王跃林[1] 杨建义[1] 

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州310027 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《光学仪器》2005年第6期53-57,共5页Optical Instruments

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60377030;60436020);上海市应用材料科技合作计划项目(0417);教育部重点科技项目

摘　　要：采用硅-玻璃键合和选择性腐蚀技术研制出了玻璃上硅(SOG)光波导材料。所研制出的光波导材料表面质量主要取决于所用绝缘体上硅(SO I)材料。当所用SO I材料为基于SIMOX技术的材料时,表面RM S粗糙度为3nm左右,自相关长度为100nm左右。采用SOG材料所制作出的脊型光波导的传输损耗与相应的SO I材料上制作出的光波导相当。这种光波导材料既具有SO I材料的众多优点,还可以在器件制作中同时实施硅的下界面处理,同时它采用玻璃作为波导的下限制层,得到较厚的下限制层。In this paper, a method to fabricate silicon-on-glass （SOG） materials for the applications of integrated optics and photonics is proposed. Anodic silicon-glass boning and selective etching are applied. Experiments and measurement show that the surface quality of SOG materials mainly depends on the used silicon-on-insulator （SOI） wafers. When the SIMOX-based SOI wafers are used, the RMS roughness of the SOG surface will be about 3 nm and the auto-correlation length will be about 100 nm. The propagation loss of the SOG-based rib waveguides is at the same level of the employed SOI materials. The SOG material have the capabilities of SOI materials and can also be used for the applications in which the lower interface of the silicon core can be processed or the lower cladding is required to be thick.

关 键 词：集成光学 光波导 硅 键合 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]