一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源  

Low Voltage CMOS Bandgap Reference

作　　者：李树荣[1] 李丹[1] 王亚杰[1] 姚素英[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《天津大学学报》2006年第1期119-123,共5页Journal of Tianjin University(Science and Technology)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60576025)天津市重点自然科学基金资助项目(03318911).

摘　　要：采用0．5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源．其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1．5 V的低电源电压下工作．该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点．模拟结果表明,其电源抑制比可达到88 db,在-40～140℃的范围内温度系数可达到1．9×10-5／℃,电路总功耗为37．627 5 μW．A CMOS bandgap reference circuit with 1.5 V supply voltage is described. The circuit is implemented using a standard 0. 5 μm digital CMOS process, which has a simple architecture and low power consumption, and achieves good stability of temperature and power supply. The simulation result shows that a power supply rejection ratio （PSRR） of 88 db and a temperature coefficient of 1.9 × 10 -5/℃ from - 40℃ to 140℃ can be obtained. Its total power consumption is about 37. 627 5 μW.

关 键 词：CMOS带隙基准电压源 亚阈值区 低压 

分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学]